7月7日，英汉思技术有限公司（以下简称“英汉思”）签约落户武汉未来科技城，标志着MOCVD设备关键拼图将被补上。
英汉思成立于2024年，专注研发生产MOCVD设备。MOCVD是化合物半导体光电子器件的关键外延设备，通过化学气相沉积，在衬底上生长出决定芯片光电性能的单晶薄膜——没有这层“地基”，芯片就“长”不出来，因此MOCVD也被称为“造光母机”。
据市场研究机构QYResearch数据，2026-2032年全球MOCVD设备市场规模复合增长率预计为8.0%。但目前业内海外头部企业占据较高市场份额，国内厂商份额有限。
英汉思研发的MOCVD设备。
英汉思是国内少数能同时覆盖氮化镓、碳化镓、砷化镓、磷化铟等多种半导体材料体系的企业，对应手机快充芯片、5G基站功率器件、新能源车功率模块等主流应用场景。企业落户后，将联动九峰山实验室及区内上下游企业，加速完成国产化MOCVD设备研发迭代和生产交付。目前，设备已开展调试，后续将入驻高科激光产业基地，建设面积超2000平方米的生产基地，实现多型号MOCVD设备批量出货。
